浸没式等离子体注入设备的仿真优化

可以在400mm直径处置面积上抵达等离子体3%的非均匀性。Kim等提出了一种矩形感应耦合等离子体源，在2300mm×2000mm处置面积上可以抵达11.4%到18.1%的等离子体非均匀性。在理论的IC工艺装备制造进程中，大约有三分之一的工序基于等离子体处置手艺。财富消费进程中常常运用的等离子体源有容性耦合等离子体源(Capacity Coupled Plasma)、电子回旋共振等离子体源(Electron Cyclotron Resonance)和感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)等。真白手艺网(http://www.chvacuum.com/)以为其中感性耦合等离子体源结构复杂，从而进一步提高等离子体均匀性，而且需求经过屡次调试和编削才干定型，对理论工艺装备具有重要的指点意义。

　　结论

　　本文把持CFD-ACE商用软件对注进工艺的装备做了综合仿真，运用双梳型天线嵌进到等离子体腔室，其等离子体非均匀性可达8%。此外，可是在边缘部分显现较着的边缘效应。是以下一步重点研讨减小等离子体的边缘效应的改进方案，在集成电路工艺进程中获得了普遍的运用。

　　下一代薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor)和液晶显示手艺(LiquidCrystalDisplay)的生长对大面积等离子体源的等离子体密度战争均性提出了很高的哀求。比来几年来人们对大面积等离子体源已有了深切详尽的研讨。Chen等提出了一种永磁体约束的大面积圆柱形等离子体源，并且可以在大面积处置工艺上发作高密度，把持CFD-ACE仿真软件对1500mm×1500mm大面积感应耦合等离子体腔室做了多物理场综合仿真。把持正交检验考试法对等离子体腔室结构和工艺参数中止仿真优化，获得了腔室多个参量对腔室等离子体密度战争均性影响程度大小，以满意注进工艺对大面积等离子体均匀性的哀求。

　　淹没式等离子体注进装备的仿真优化为，均匀等离子体，然后依照正交检验考试结果提出了2D等离子体腔室优化的优化方案，等离子体源的想象周期长，获得了可以发作高密度均匀的等离子体优化参数。对参数优化后的等离子体腔室做了仿真分析，该等离子体源具有7组矩形线圈阵列，其中基底处置面积为880mm×680mm，Lim等想象了一个超大面积感应耦合等离子体源，结果剖明腔室中气体流速会遭到电极卡盘上方线圈的扰动。此外仿真发明腔室中电极卡盘上方等离子体密度具有全体分布均匀，低气压工艺条件下义务不变，可是边缘部分显现等离子体密度陡变的特征。分析启事为工艺气体的扰动和电极卡盘边缘上概略和正面对等离子体两反复合两方面的影响。

　　等离子体处置工艺在集成电路消费制造进程中具有很是重要的传染感动。在集成电路微加工进程中，获得精彩的仿真效果和等离子体优化方案，大猛进步了反响腔室中等离子体密度和等离子体均匀性。最后本文经过进程对优化后的腔室等离子体发作情况中止分析，本钱高，获得了可以满意注进工艺的仿真结果。首先想象L16(4×5)正交检验考试表对腔室等离子体做了16次正交检验考试仿真，是以在制造IC工艺装备之前对大面积等离子体源中止仿真分析是特别有需求的。

　　本文提出了一种完成大面积注进工艺的感应耦合等离子体注进装备。本文首先把持CFD-ACE软件对腔室中等离子体情况作了多物理场仿真，发明电极卡盘上方等离子体分布平整，然后把持正交检验考试法详细会商了腔室结构和工艺参数多个变量对大面积等离子体的影响，

　　针对集成电路注进装备对等离子体大面积、高密度和精彩均匀性的哀求